Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


2. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


3. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе // Оптика и спектроскопия - 2018. - Т. 125. - № 2. - С. 229-233


4. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


5. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


6. Babichev A.V., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I. Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 9, pp. 1127-1132


7. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


8. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


9. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


10. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 8038783


11. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


12. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577


13. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


14. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 2, pp. 174-177


15. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


16. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438


17. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


18. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


19. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


20. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197


21. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019


22. Kurochkin A.S., Babichev A.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers in the 7-8 um spectral range with full top metallization // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 993, No. 1, pp. 012031


23. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям // Письма в Журнал технической физики - 2018. - Т. 44. - № 4. - С. 95-102


24. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


25. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


26. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


27. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


28. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


29. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


30. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


31. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


32. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


33. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice // Semiconductor Science and Technology - 2015, Vol. 30, No. 11, pp. 115013


34. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-?m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


35. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them // Optics and spectroscopy - 2018, Vol. 125, No. 2, pp. 238-242


36. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


37. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526