Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E. Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations // Physics of the solid state - 2015, Vol. 57, No. 7, pp. 1342-1346


2. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147


3. Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2013. - Т. 56. - № 11. - С. 87-91


4. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


5. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


6. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


7. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy // Materials Science in Semiconductor Processing - 2016, Vol. 47, pp. 16-19


8. Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2014, Vol. 11, No. 3-4, pp. 502-504


9. Николаев В.И., Аверкин А.И., Егоров В.М., Малыгин Г.А., Пульнев С.А. Влияние неполной деформации памяти формы на генерацию реактивных напряжений в монокристаллах сплава Cu-Al-Ni // Физика твердого тела - 2014. - Т. 56. - № 3. - С. 508-511


10. Abyzov A.M., Shakhov F.M., Averkin A.I., Nikolaev V.I. Mechanical properties of a diamond-copper composite with high thermal conductivity // Materials and Design - 2015, Vol. 87, pp. 527-539


11. Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 7. - С. 1315-1319


12. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


13. Priadko A.I., Nikolaev V.I., Pulnev S.A., Stepanov S.I., Rogov A.V., Chikiryaka A.V., Shmakov O.A. Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 83-87


14. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


15. Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals // Journal of Crystal Growth - 2017, Vol. 457, pp. 132–136


16. Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552


17. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review // Reviews on Advanced Materials Science - 2016, Vol. 44, No. 1, pp. 63-86


18. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


19. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36


20. Гузилова Л.И., Гращенко А.С., Печников А.И., Маслов В.Н., Завьялов Д.В., Абдрахманов В.Л., Романов А.Е., Николаев В.И. Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов beta-Ga2O3 методом наноиндентирования [Study of beta-Ga2O3 epitaxial layers and single crystals by nanoindentation technique] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016. - Т. 29. - № 2. - С. 166-171


21. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


22. Kustov S., Cesari E., Liubimova I., Nikolaev V., Salje E. Twinning in Ni-Fe-Ga-Co shape memory alloy: Temperature scaling beyond the Seeger model // Scripta Materialia - 2017, Vol. 134, pp. 24-27


23. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E. HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates // Key Engineering Materials (Book Series) - 2016, Vol. 674, pp. 302-307


24. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Васильева Е.С., Николаев В.И., Романов А.Е. Микротвердость и модуль упругости монокристаллов beta-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Физическое материаловедение: VII Международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 31января-5февраля 2016г.): сборник материалов - 2016. - С. 99-100


25. Аверкин А.И., Якушев П.Н., Трофимова Е.В., Зограф Г.П., Тимашов Р.Б., Пульнев С.А., Кустов С.Б., Николаев В.И. Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni [Shape memory deformation recovery features in Cu-Al-Ni single crystals] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 64-68


26. Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58


27. Maslov V.N., Krymov V.M., Блашенков М.Н., Блашенков Н.М., Golovatenko A.A., Nikolaev V.I. Beta-Ga2O3 crystal growing from its own melt // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 4, pp. 303-305


28. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577


29. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 22, No. 1, pp. 59-63


30. Маслов В.Н., Крымов В.М., Калашников Е.В., Николаев В.И. Монокристаллы бета-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия [Single crystals of Beta-Ga2O3, grown from the melt of gallium and aluminum oxides] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014. - Т. 21. - № 2. - С. 194-199


31. Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 12, pp. 1117-1120


32. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


33. Nikolaev V.I., Yakushev P.N., Malygin G.A., Averkin A.I., Pulnev S.A., Zograf G.P., Kustov S.B., Chumlyakov Y.I. Influence of partial shape memory deformation on the burst character of its recovery in heated Ni-Fe-Ga-Co alloy crystals // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 4, pp. 399-402


34. Kustov S.B., Mas B., Salas D., Cesari E., Raufov S.C., Nikolaev V.I., Van Humbeeck J. On the effect of room temperature ageing of Ni-rich Ni-Ti alloys // Scripta Materialia - 2015, Vol. 103, pp. 10–13


35. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538


36. Nikolaev V.I., Malygin G.A., Averkin A.I., Stepanov S.I., Zograf G.P. Anomalous stress-strain behaviour in Ni49Fe18Ga27Co6 crystals compressed along [110] // Materials Today: Proceedings - 2017, Vol. 4, No. 3, pp. 4807-4813


37. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


38. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


39. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


40. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


41. Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544


42. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38


43. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142


44. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


45. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


46. Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si // Физика твердого тела - 2016. - Т. 58. - № 9. - С. 1812-1817


47. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Айфантис К., Романов А.Е., Николаев В.И. Определение значения микротвёрдости по методу Виккерса в монокристаллах b-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 3(97). - С. 546-549


48. Mynbaeva M.G., Pechnikov A.I., Sitnikova A.A., Kirilenko D.A., Lavrent'Ev A.A., Ivanova E.V., Nikolaev V.I. Large-area crystalline GaN slabs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 3, pp. 246-248


49. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Ситникова А.А., Кириленко Д.А., Лаврентьев А.А., Иванова Е.В., Николаев В.И. Пластины кристаллического GaN большой площади // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 5. - С. 84-90


50. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120


51. Маслов В.Н., Крымов В.М., Блашенков М.Н., Головатенко А.А., Николаев В.И. Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 7. - С. 56-61