Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Nikolaev V.I., Malygin G.A., Averkin A.I., Stepanov S.I., Zograf G.P. Anomalous stress-strain behaviour in Ni49Fe18Ga27Co6 crystals compressed along [110] // Materials Today: Proceedings - 2017, Vol. 4, No. 3, pp. 4807-4813


2. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538


3. Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Kremleva A.V., Mynbaeva M.G., Nikolaev V.I. Analysis of stacking faults in gallium nitride by Fourier transform of high-resolution images // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 12, pp. 1117-1120


4. Маслов В.Н., Крымов В.М., Блашенков М.Н., Головатенко А.А., Николаев В.И. Выращивание кристаллов beta-Ga2O3 из собственного расплава // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 7. - С. 56-61


5. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


6. Маслов В.Н., Крымов В.М., Калашников Е.В., Николаев В.И. Монокристаллы бета-Ga2O3, выращенные из расплава оксидов галлия и алюминия [Single crystals of Beta-Ga2O3, grown from the melt of gallium and aluminum oxides] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014. - Т. 21. - № 2. - С. 194-199


7. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


8. Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.L., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. Defects in thin epitaxial layers of (AlхGa1-х)2O3 grown on Al2O3 substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 178-185


9. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577


10. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38


11. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Krymov V.M., Maslov V.N., Bougrov V.E., Romanov A.E. HVPE growth of GaN layers on cleaved beta-Ga2O3 substrates // Key Engineering Materials (Book Series) - 2016, Vol. 674, pp. 302-307


12. Кукушкин С.А., Николаев В.И., Осипов А.В., Осипова Е.В., Печников А.И., Феоктистов Н.А. Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si // Физика твердого тела - 2016. - Т. 58. - № 9. - С. 1812-1817


13. Stepanov S.I., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Gallium Oxide: Properties and Applications - a Review // Reviews on Advanced Materials Science - 2016, Vol. 44, No. 1, pp. 63-86


14. Nikolaev V.I., Yakushev P.N., Malygin G.A., Averkin A.I., Pulnev S.A., Zograf G.P., Kustov S.B., Chumlyakov Y.I. Influence of partial shape memory deformation on the burst character of its recovery in heated Ni-Fe-Ga-Co alloy crystals // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 4, pp. 399-402


15. Шарофидинов Ш.Ш., Николаев В.И., Смирнов А.Н., Чикиряка А.В., Никитина И.П., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е., Романов А.Е. Снижение трещинообразования при росте ALN на подложках Si методом хлоридно-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 4. - С. 549-552


16. Abyzov A.M., Shakhov F.M., Averkin A.I., Nikolaev V.I. Mechanical properties of a diamond-copper composite with high thermal conductivity // Materials and Design - 2015, Vol. 87, pp. 527-539


17. Виноградова К.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Деградация белых и синих светодиодов при длительном времени работы // Известия высших учебных заведений. Приборостроение - 2013. - Т. 56. - № 11. - С. 87-91


18. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


19. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


20. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Айфантис К., Романов А.Е., Николаев В.И. Определение значения микротвёрдости по методу Виккерса в монокристаллах b-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 3(97). - С. 546-549


21. Maslov V.N., Nikolaev V.I., Krymov V.M., Bugrov V.E., Romanov A.E. Deposition of beta-Ga2O3 layers by sublimation on sapphire substrates of different orientations // Physics of the solid state - 2015, Vol. 57, No. 7, pp. 1342-1346


22. Гузилова Л.И., Маслов В.Н., Васильева Е.С., Николаев В.И., Романов А.Е. Микротвердость и модуль упругости монокристаллов beta-Ga2O3, выращенных из собственного расплава // Физическое материаловедение: VII Международная школа с элементами научной школы для молодежи (Тольятти, 31января-5февраля 2016г.): сборник материалов - 2016. - С. 99-100


23. Sharofidinov S.S., Nikolaev V.I., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Nikitina I.P., Odnoblyudov M.A., Bougrov V.E., Romanov A.E. On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 4, pp. 541-544


24. Kustov S., Cesari E., Liubimova I., Nikolaev V., Salje E. Twinning in Ni-Fe-Ga-Co shape memory alloy: Temperature scaling beyond the Seeger model // Scripta Materialia - 2017, Vol. 134, pp. 24-27


25. Николаев В.И., Печников А.И., Степанов С.И., Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Смирнов А.Н., Бугров В.Е., Романов А.Е., Брунков П.Н., Кириленко Д.А. Хлоридная эпитаксия слоев beta-Ga2O3 на сапфировых подложках базисной ориентации // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 7. - С. 997-1000


26. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


27. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36


28. Маслов В.Н., Николаев В.И., Крымов В.М., Бугров В.Е., Романов А.Е. Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 7. - С. 1315-1319


29. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


30. Николаев В.И., Аверкин А.И., Егоров В.М., Малыгин Г.А., Пульнев С.А. Влияние неполной деформации памяти формы на генерацию реактивных напряжений в монокристаллах сплава Cu-Al-Ni // Физика твердого тела - 2014. - Т. 56. - № 3. - С. 508-511


31. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


32. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147


33. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


34. Kukushkin S.A., Nikolaev V.I., Osipov A.V., Osipova E.V., Pechnikov A.I., Feoktistov N.A. Epitaxial gallium oxide on a SiC/Si substrate // Physics of the solid state - 2016, Vol. 58, No. 9, pp. 1876-1881


35. Priadko A.I., Nikolaev V.I., Pulnev S.A., Stepanov S.I., Rogov A.V., Chikiryaka A.V., Shmakov O.A. Shape memory Cu-Al-Ni single crystals for application in rotary actuators // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 83-87


36. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Maslov V.N., Golovatenko A.A., Krymov V.M., Stepanov S.I., Zhumashev N.K., Bougrov V.E., Romanov A.E. GaN growth on beta-Ga2O3 substrates by HVPE // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 22, No. 1, pp. 59-63


37. Kustov S.B., Mas B., Salas D., Cesari E., Raufov S.C., Nikolaev V.I., Van Humbeeck J. On the effect of room temperature ageing of Ni-rich Ni-Ti alloys // Scripta Materialia - 2015, Vol. 103, pp. 10–13


38. Maslov V.N., Krymov V.M., Блашенков М.Н., Блашенков Н.М., Golovatenko A.A., Nikolaev V.I. Beta-Ga2O3 crystal growing from its own melt // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 4, pp. 303-305


39. Nikolaev V.I., Golovatenko A.A., Mynbaeva M.G., Nikitina I.P., Seredova N.V., Pechnikov A.I., Bougrov V.E., Odnoblyudov M.A. Effect of nano-column properties on self-separation of thick GaN layers grown by HVPE // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2014, Vol. 11, No. 3-4, pp. 502-504


40. Шарофидинов Ш.Ш., Головатенко А.А., Никитина И.П., Середова Н.В., Мынбаева М.Г., Бугров В.Е., Одноблюдов М.А., Степанов С.И., Николаев В.И. Толстые эпитаксиальные слои нитрида галлия на кремниевой подложке [Thick GaN layers on silicon substrate] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 53-58


41. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142


42. Mynbaeva M.G., Pechnikov A.I., Sitnikova A.A., Kirilenko D.A., Lavrent'Ev A.A., Ivanova E.V., Nikolaev V.I. Large-area crystalline GaN slabs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 3, pp. 246-248


43. Аверкин А.И., Якушев П.Н., Трофимова Е.В., Зограф Г.П., Тимашов Р.Б., Пульнев С.А., Кустов С.Б., Николаев В.И. Особенности восстановления деформации памяти формы в монокристаллах сплавов Cu-Al-Ni [Shape memory deformation recovery features in Cu-Al-Ni single crystals] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 64-68


44. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Chikiryaka A.V., Sharofidinov S.S., Bougrov V.E., Romanov A.E. Epitaxial growth of (2-01) Beta-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy // Materials Science in Semiconductor Processing - 2016, Vol. 47, pp. 16-19


45. Nikolaev V.I., Pechnikov A.I., Stepanov S.I., Sharofidinov S.S., Golovatenko A.A., Nikitina I.P., Smirnov A.N., Bugrov V.E., Romanov A.E., Brunkov P.N., Kirilenko D.A. Chloride epitaxy of beta-Ga2O3 layers grown on c-sapphire substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 7, pp. 980-983


46. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


47. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120


48. Гузилова Л.И., Гращенко А.С., Печников А.И., Маслов В.Н., Завьялов Д.В., Абдрахманов В.Л., Романов А.Е., Николаев В.И. Исследование эпитаксиальных слоёв и монокристаллов beta-Ga2O3 методом наноиндентирования [Study of beta-Ga2O3 epitaxial layers and single crystals by nanoindentation technique] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016. - Т. 29. - № 2. - С. 166-171


49. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


50. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Ситникова А.А., Кириленко Д.А., Лаврентьев А.А., Иванова Е.В., Николаев В.И. Пластины кристаллического GaN большой площади // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 5. - С. 84-90


51. Nikolaev V.I., Maslov V.N., Stepanov S.I., Pechnikov A.I., Krymov V.M., Nikitina I.P., Guzilova L.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Growth and characterization of beta-Ga2O3 crystals // Journal of Crystal Growth - 2017, Vol. 457, pp. 132–136