Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Александр Александрович Лебедев

Александр Александрович Лебедев

Публикации

1. Лебедев А.А., Давыдов С.Ю., Сорокин Л.М., Шахов Л.В. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 23. - С. 89-94


2. Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н. Исследование возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 3(91). - С. 64-69


3. Novikov S., Lebedeva N., Satrapinski A., Walden J., Davydov V., Lebedev A.A. Graphene based sensor for environmental monitoring of NO2 // Sensors and Actuators, B: Chemical - 2016, Vol. 236, pp. 1054-1060


4. Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Emtsev V.V., Oganesyan G.A. Effect of the energy of recoil atoms on conductivity compensation in moderately doped n-Si and n-SiC under irradiation with MeV electrons and protons // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - 2016, Vol. 384, pp. 100-105


5. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А. Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 1. - С. 200-205


6. Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Kumzerov Y.A. Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide // Physics of the solid state - 2017, Vol. 59, No. 10, pp. 2089-2091


7. Kotousova I.S., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Bulat P.V. Electron-Diffraction Study of the Structure of Epitaxial Graphene Grown by the Method of Thermal Destruction of 6H- and 4H-SiC (0001) in Vacuum // Physics of the solid state - 2018, Vol. 60, No. 7, pp. 1419-1424


8. Strel’Chuk A.M., Yakimov E.B., Lavrent’Ev A.A., Kalinina E.V., Lebedev A.A. Characterization of 4H-SiC pn structures with unstable excess current // Materials Science Forum - 2015, Vol. 821-823, pp. 648-651


9. Lebedev A.A., Ber B.Y., Seredova N.V., Kazantsev D.Y., Kozlovski V.V. Radiation-Stimulated Photoluminescence in Electron Irradiated 4H-SiC // Journal of Physics D: Applied Physics - 2015, Vol. 48, No. 48, pp. 485106


10. Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н. Исследование возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 3(91). - С. 64-69


11. Novikov S.V., Makarov Y.N., Helava H., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Davydov V.Y. Highly sensitive NO2 graphene sensor made on SiC grown in Ta crucible // Materials Science Forum - 2016, Vol. 858, pp. 1149-1152


12. Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н., Усиков А.С., Курин С.Ю., Бараш И.С., Роенков А.Д., Козловский В.В. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1386-1388


13. Lebedev A.A., Belov S.V., Mynbaeva M.G., Strel’Chuk A.M., Bogdanova E.V., Makarov Y.N., Usikov A.S., Kurin S.Y., Barash I.S., Roenkov A.D., Kozlovski V.V. 15 eV protons irradiation of the GaN Schottky Diodes // Materials Science Forum - 2016, Vol. 858, pp. 1186-1189