Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


2. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


3. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 8038783


4. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


5. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


6. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


7. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


8. Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Денисов Д.В., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Блохин С.А., Воропаев К.О., Ионов А.С. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе // Оптика и спектроскопия - 2018. - Т. 125. - № 2. - С. 229-233


9. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


10. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


11. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


12. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


13. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


14. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


15. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


16. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019


17. Babichev A.V., Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I. Optical properties of metamorphic hybrid heterostuctures for vertical-cavity surface-emitting lasers operating in the 1300-nm spectral range // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 9, pp. 1127-1132


18. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


19. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Bobretsova Y.K., Klimov A.A., Blokhin S.A., Voropaev K.O., Ionov A.S. Optical Gain of 1550-nm Range Multiple-Quantum-Well Heterostructures and Limiting Modulation Frequencies of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Based on Them // Optics and spectroscopy - 2018, Vol. 125, No. 2, pp. 238-242


20. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-mu m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


21. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


22. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


23. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


24. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197