Research
ITMO University

Меню

A. Yu. Egorov

Publications

1. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Egorov A.Y. Experimental Study of Spontaneous Emission in Bragg Multiple- Quantum-Well Structures with InAs Single-Layer Quantum Wells // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 7, pp. 877-880


2. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Power increase in Q-switched two-sectional quantum well lasers due to Stark effect // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 10, pp. 984-986


3. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577


4. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Денисов Д.В., Егоров А.Ю. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP1-xNx и GaP1-x-y Nx Asy, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 489-493


5. Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. GaN nanowire ultraviolet photodetector with a graphene transparent contact // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 103, No. 20, pp. 201103


6. Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G..., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Zhang J..., Pauporte T..., Tchernycheva M... Characterization and modeling of a ZnO nanowire ultraviolet photodetector with graphene transparent contact // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 114, No. 23, pp. 234505


7. Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 9. - С. 1186-1191


8. Goray L., Egorov A.Y. Breaking the efficiency limit for high-frequency blazed multilayer soft x-ray gratings: Conical vs classical diffraction // Applied Physics Letters - 2016, Vol. 109, No. 10, pp. 103502


9. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Andreev A.D., Kognovitskaya E.A., Lyutetskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.G., Voropaev K.O., Ionov A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Tunable single-frequency source based on a DFB laser array for the spectral region of 1.55 mu m // Quantum Electronics - 2019, Vol. 49, No. 12, pp. 1158-1162


10. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-mu m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


11. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Wavelength–stabilized near–field laser // Optics express - 2019, Vol. 27, No. 22, pp. 32019-32036


12. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


13. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


14. Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 7, pp. 735-738


15. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Chistyakov D.V., Kognovitskaya E.A., Lyutetskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. High-coupling distributed feedback lasers for the 1.55 mu m spectral region // Quantum Electronics - 2019, Vol. 49, No. 9, pp. 801-803


16. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


17. Zaitsev D.A., Il'Ynskaya N.D., Koudinov A.V., Poletaev N.K., Nikitina E.V., Egorov A.Y., Kavokin A.V., Seisyan R.P. Diffusive Propagation of Exciton-Polaritons through Thin Crystal Slabs // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 11474


18. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526


19. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


20. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


21. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Egorov A.Y. The influence of an In0.52Al0.48As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 3, pp. 284-286


22. Баранов А.И., Гудовских А.С., Зеленцов К.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 534-538


23. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


24. Baranov A.I., Kleider J.P., Gudovskikh A.S., Darga A., Nikitina E.V., Egorov A.Y. Deep-level study of Ga(In)P(NAs) alloys grown on Si substrates // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012077


25. Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Boulley L., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N., Bousseksou A., Egorov A.Y. Spectral shift of quantum-cascade laser emission under the action of control voltage // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 11, pp. 1136-1139


26. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique // Optics and spectroscopy - 2019, Vol. 127, No. 1, pp. 140-144


27. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


28. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 8, pp. 1097-1101


29. Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Usikova A.A., Il'Inskaya N.D., Lyutetskiy A.V., Zadiranov Y.M., Portnoi E.L. Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 6, pp. 828-831


30. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 20. - С. 30-36


31. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


32. Бабичев А.В., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 4. - С. 518-522


33. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


34. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Влияние конструкции переходного слоя In0.52Al0.48As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов // Письма в Журнал технической физики - 2016. - Т. 42. - № 6. - С. 14-19


35. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Nevedomskiy V.N., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-locking and Q-switching in 1.06 mu m two-sectional QW lasers due to stark effect // International Conference Laser Optics, LO 2016 - 2016, pp. R37


36. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Babichev A.V., Andreev A.D., Kognovitskaya E.A., Bobretsova Y.K., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. High-power Lambda = 8 Mu m quantum-cascade lasers at room temperature // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066048


37. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


38. Pozina G., Girshova E.I., Morozov K.M., Ivanov K.A., Egorov A.Y., Kaliteevski M.A. Purcell Effect and Nonlinear Behavior of the Emission in a Periodic Structure Composed of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix // Annalen der Physik (Berlin) - 2019, Vol. 531, No. 6, pp. 1800388


39. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


40. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice // Semiconductor Science and Technology - 2015, Vol. 30, No. 11, pp. 115013


41. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


42. Dagnelund D., Stehr J., Egorov A.Y., Chen W.M., Buyanova I.A. Optically detected magnetic resonance studies of point defects in quaternary GaNAsP epilayers grown by vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 102, No. 2, pp. 021910


43. Гаджиев И.М., Буяло М.С., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Лютецкий А.В., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 6. - С. 843-847


44. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


45. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Nevedomskii V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Egorov A.Y. Spontaneous Emission and Lasing of a Two-Wavelength Quantum-Cascade Laser // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 3, pp. 345-349


46. Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052029


47. Baranov A.I., Gudovskikh A., Kudryashov D.A., Lazarenko A.A., Morozov I.A., Mozharov A.M., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Egorov A.Y., Darga A., Le Gall S., Kleider J.P. Defect properties of InGaAsN layers grown as sub-monolayer digital alloys by molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2018, Vol. 123, No. 16, pp. 161418


48. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


49. Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAsTemperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1410, No. 1, pp. 012104


50. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


51. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Gubaydullin A.R., Morozov K.M., Girshova E.I., Ivanov K.A., Egorov A.Y. Experimental Study of Spontaneous Emission in the Bragg Multiple Quantum Wells Structure of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 14, pp. 1822-1826


52. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Single-Mode Arched-Cavity Quantum-Cascade Lasers // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 4, pp. 398-400


53. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197


54. Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1236, No. 1, pp. 012071


55. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 663-667


56. Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Lazarenko A.A., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Morozov I.A., Egorov A.Y. GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 652-655


57. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


58. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


59. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


60. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 2, pp. 174-177


61. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Babichev A.V., Losev S.N., Chistyakov D.V., Kognovitskaya E.A., Avrov D.D., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Generation of Frequency Combs by Quantum Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 10, pp. 1027-1030


62. Dudelev V.V., Losev S.N., Mylnikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. High Temperature Laser Generation of Quantum-Cascade Lasers in the Spectral Region of 8 um // Physics of the solid state - 2018, Vol. 60, No. 11, pp. 2291-2294


63. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of mid-IR spectral range: Epitaxy, diagnostics and device characteristics // EPJ Web of Conferences - 2018, Vol. 195, pp. 04001


64. Babichev A.V., Gusev G.A., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorob’Ev L.E., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Nevedomskii V.N., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Lasing in 9.6-mu m Quantum Cascade Lasers // Technical Physics - 2018, Vol. 63, No. 10, pp. 1511-1515


65. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kalosha V.P., Ledentsov N.J., Agustin M., Kropp J.R., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. Virtual cavity in distributed Bragg reflectors // Optics express - 2018, Vol. 26, No. 19, pp. 25280-25292


66. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 8, pp. 1104-1109


67. Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 6, pp. 549–552


68. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


69. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 569-572


70. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


71. Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Nevedomskiy V.N., Nikitina E.V., Lazarenko A.A., Egorov A.Y., Maximov M.V., Moiseev E.I., Zhukov A.E. Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 267-271


72. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


73. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 2400808


74. Pozina G., Ivanov K.A., Morozov K.M., Girshova E.I., Egorov A.Y., Clark S.J., Kaliteevski M.A. Enhancement of light emission in Bragg monolayer-thick quantum well structures // Scientific Reports - 2019, Vol. 9, pp. 10162


75. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


76. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438


77. Мизеров А.М., Кладько П.Н., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111) // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 2. - С. 283-286


78. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


79. Babichev A.V., Gladyshev A.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Growth and optical characterization of 7.5 ?m quantum-cascade laser heterostructures grown by MBE // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1124, No. 4, pp. 041029


80. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям // Письма в Журнал технической физики - 2018. - Т. 44. - № 4. - С. 95-102


81. Dudelev V.V., Losev S.N., Mylnikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. Dual-Frequency Generation in Quantum Cascade Lasers of the 8-mu m Spectral Range // Optics and spectroscopy - 2018, Vol. 125, No. 3, pp. 402-404


82. Dudelev V.V., Losev S.N., Myl’Nikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. Turn-on Dynamics of Quantum Cascade Lasers with a Wavelength of 8100 nm at Room Temperature // Technical Physics - 2018, Vol. 63, No. 11, pp. 1656-1658


83. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L.I., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y., Clark S.J. Super-radiant mode in InAs-monolayer-based Bragg structures // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 14911


84. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


85. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y. Nonlinear behavior of the emission in the periodic structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix // Physica status solidi (b) - 2017, Vol. 254, No. 4, pp. 1600402


86. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


87. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


88. Kurochkin A.S., Babichev A.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers in the 7-8 um spectral range with full top metallization // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 993, No. 1, pp. 012031


89. Dudelev V.V., Babichev A.V., Mikhailov D.A., Gladyshev A.G., Losev S.N., Kognovitskaya E.A., Novikov I.I., Lyuretskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Quantum-cascade lasers with U-shaped resonator: single frequency generation at room temperature // Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and European Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-EQEC 2019 - 2019, pp. 8872297


90. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


91. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Boulley L., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Lasing of a Quantum-Cascade Laser with a Thin Upper Cladding // Optics and spectroscopy - 2019, Vol. 127, No. 2, pp. 279-284


92. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019