Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Публикации

1. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


2. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


3. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах // Письма в Журнал технической физики - 2013. - Т. 39. - № 24. - С. 1-8


4. Shvaleva M.A., Tuzova Y.V., Romanov A.E., Aseev V.A., Nikonorov N.V., Mynbaev K.D., Bugrov V.E. Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 11, pp. 1041-1043


5. Zablotsky S.V., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states and carrier lifetime in heteroepitaxial HgCdTe-on-Si for mid-infrared photodetectors // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012004


6. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Swiatek Z., Morgiel J., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V. Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis // Infrared Physics and Technology - 2019, Vol. 98, pp. 230-235


7. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Semakova A.A., Bykhanova E.V., Bazhenov N.L. Luminescence of II–VI and III–V nanostructures // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 3, pp. 209-214


8. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voytsekhovskiy A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M. Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies // Opto-electronics Review - 2017, Vol. 25, No. 2, pp. 148-170


9. Mynbaeva M.G., Golovatenko A.A., Pechnikov A.I., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I. Specific Features of the Hydride Vapor-Phase Epitaxy of Nitride Materials on a Silicon Substrate // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 11, pp. 1535-1538


10. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Исследование вывода света из светодиодного модуля "CHIP-ON-BOARD" // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142402(1-5)


11. Shvaleva M.A., Nikulina L.A., Aseev V.A., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikonorov N.V., Romanov A.E. Ce3+: YAG Doped Glass-Ceramics For White Light-Emitting Diode // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 683-686


12. Мынбаева М.Г., Печников А.И., Шарофидинов Ш.Ш., Бугров В.Е., Мынбаев К.Д., Степанов С.И., Одноблюдов М.А., Николаев В.И., Романов А.Е. Светоизлучающие p–n структуры, выращенные хлорид-гидридной эпитаксией на структурированных подложках GaN/Al2O3 [Light-Emitting P-N structures fabricated with hydride vapor-phase epitaxy on GaN/Al2O3 structured substrates] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015. - Т. 22. - № 1. - С. 30-38


13. Izhnin I.I., Fitsych O.I., Swiaotek Z., Morgiel Y., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Effect of annealing on the structural properties of arsenic-implanted mercury cadmium telluride // Opto-electronics Review - 2019, Vol. 27, No. 1, pp. 14-17


14. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Marin D.V., Yakushev M.V. Photoluminescence of Molecular Beam Epitaxy-Grown Mercury Cadmium Telluride: Comparison of HgCdTe/GaAs and HgCdTe/Si Technologies // Journal of Electronic Materials - 2018, Vol. 47, No. 8, pp. 4731-4736


15. Andryushchenko D.A., Trapeznikova I.N., Bazhenov N.L., Yagovkina M.A., Mynbaev K.D., Remesnik V.G., Varavin V.S. Strong Disorder in HgCdTe Studied with Optical Methods and X-Ray Diffraction // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066038


16. Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt // Reviews on Advanced Materials Science - 2018, Vol. 57, No. 1, pp. 97-103


17. Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Luminescence studies of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well structures // Applied Nanoscience - 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 617-622


18. Ivanov-Omskii V.I., Mynbaev K.D., Trapeznikova I.N., Andryushchenko D.A., Bazhenov N.L., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Remesnik V.G., Dvoretskii S.A., Yakushev M.V. An Optical Study of Disordering in Cadmium Mercury Telluride Solid Solutions // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 6, pp. 553-556


19. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250


20. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Безмасочное структурирование поверхности кремниевых подложек для нитридной эпитаксии // Ученые записки физического факультета МГУ - 2014. - № 2. - С. 142502(1-4)


21. Швалева М.А., Тузова Ю.В., Романов А.Е., Асеев В.А., Никоноров Н.В., Мынбаев К.Д., Бугров В.Е. Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 21. - С. 38-44


22. Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd xHg1–xTe solid solutions: Radiative recombination // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 9, pp. 1170-1175


23. Mynbaeva M.G., Lavrent’Ev A.A., Mynbaev K.D. Formation of graphite/sic structures by the thermal decomposition of silicon carbide // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 138-142


24. Izhnin I.I., Fitsych E.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z. Defects in Arsenic Implanted р+–n- and n+–p- Structures Based on MBE Grown CdHgTe Films // Russian Physics Journal - 2018, Vol. 60, No. 10, pp. 1752–1757


25. Shilyaev A.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Greshnov A.A. Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions // Technical Physics - 2017, Vol. 62, No. 3, pp. 441-448


26. Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 9. - С. 1206-1211


27. Fedorov I.V., Levin R.V., Nevedomsky V.N., Usikova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Pushnyi B.V., Zegrya G.G. IR diode structures based on II-Type InAs/GaSb superlattices grown by MOCVD // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1199, No. 1, pp. 012016


28. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36


29. Krasnitckii A.S., Smirnov A.M., Mynbaev K.D., Zhigilei L.V., Gutkin M.Y. Axial misfit stress relaxation in core-shell nanowires with hexagonal core via nucleation of rectangular prismatic dislocation loops // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2019, Vol. 42, No. 6, pp. 776-783


30. Semakova A.A., Lipnitskaya S.N., Bazhenov N.L., Kizhaev S.S., Chernyaev A.V., Stoyanov N.D., Mynbaev K.D. Spontaneous and stimulated emission in InAs-based LED heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066044


31. Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Luminescence of HgCdTe- and InAsSb-based quantum-well heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1135, No. 1, pp. 012072


32. Timoshkov A.O., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Photoluminescence of Hg0.5Cd0.5Te structures grown with molecular-beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 1, pp. 88-93


33. Mynbaeva M.G., Lebedev S.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Golovatenko A.A., Lebedev A.A., Nikolaev V.I. On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum // Semiconductors - 2014, Vol. 48, No. 3, pp. 350-353


34. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Light emission from CdHgTe-based nanostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2014, Vol. 21, No. 2, pp. 112-118


35. Izhnin I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Y., Savytskyy H.V., Fitsych O.I. Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching // Infrared Physics & Technology - 2015, Vol. 73, pp. 158-165


36. Мынбаев К.Д., Заблоцкий С.В., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 2. - С. 208-211


37. Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84


38. Swiatek Z., Yakushev M.V., Izhnin I.I., Ozga P., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Marin D.V., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Voitsekhovski A.V., Savytskyy H.V., Bonchyk O. Electrical and optical studies of a tellurium-related defect in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 461–464


39. Mikhailov N., Shvets V., Ikusov D., Uzhakov I., Dvoretsky S., Mynbaev K.D., Dluzewski P., Morgiel J., Swiatek Z., Bonchyk O., Izhnin I. Interface Studies in HgTe/HgCdTe Quantum Wells // Physica status solidi (b) - 2020, Vol. 257, No. 5, pp. 1900598


40. Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1115, No. 3, pp. 032063


41. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


42. Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Якушев М.В., Марин Д.В., Варавин В.С., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А. Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных «p+–n» фотодиодных структур // Письма в Журнал технической физики - 2014. - Т. 40. - № 16. - С. 65-72


43. Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Nikulina L., Kramnik V., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Romanov A.E. Investigation of light extraction from light emitting module chip-on-board // Optical Review - 2014, Vol. 21, No. 5, pp. 655-658


44. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Braslavskii S.S., Solovieva E.A., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Romanov A.E., Bugrov V.E. Temperature stability of colored LED elements // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 18, No. 2, pp. 143–147


45. Malyshev A.G., Jumashev N.K., Lukyanov G.N., Mynbaev K.D., Rassadina A.A. Application of a LED–photodiode optocouple for the study of human respiratory function // Journal of Physics: Conference Series - 2015, Vol. 643, pp. 012026


46. Mynbaev K.D., Zablotsky S.V., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 2, pp. 208-211


47. Bonchyk O.Y., Savytskyy H., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Yakushev M.V. Nano-size defects in arsenic-implanted HgCdTe films: a HRTEM study // Applied Nanoscience - 2019, Vol. 9, No. 5, pp. 725-730


48. Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Свёнтек З. Дефекты в имплантированных мышьяком р+–n и n+–p структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ // Известия высших учебных заведений. Физика - 2017. - Т. 60. - № 10. - С. 92-97


49. Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D. Electroluminescence of InAsSb-based mid-infrared LEDs in 4.2–300 K temperature range // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052005


50. Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Pociask-Bialy M., Voitsekhovskii A.V., Sheregii E. Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic // Journal of Applied Physics - 2014, Vol. 115, No. 16, pp. 163501


51. Мынбаева М.Г., Лебедев С.П., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Головатенко А.А., Лебедев А.А., Николаев В.И. Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 3. - С. 364-368


52. Shvaleva M.A., Shulga E., Kink I., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Romanov A.E. Na2SiO3 liquid glass-based phosphor material for white LEDs // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science - 2015, Vol. 212, No. 12, pp. 2964-2967


53. Мынбаев К.Д., Шиляев А.В., Баженов Н.Л., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А. Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно–лучевой эпитаксией // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 3. - С. 379-384


54. Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76


55. Mynbaev K.D., Shilyaev A.V., Bazhenov N.L., Izhnin A.I., Izhnin I.I., Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A. Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 3, pp. 367-372


56. Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Marin D.V., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G. Electrical profiling of arsenic-implanted HgCdTe films performed with discrete mobility spectrum analysis // Semiconductor Science and Technology - 2019, Vol. 34, No. 3, pp. 035009


57. Липницкая С.Н., Мынбаев К.Д., Никулина Л.А., Бугров В.Е., Ковш А.Р., Одноблюдов М.А., Романов А.Е. Повышение эффективности вывода света из светодиодных модулей "CHIP-ON-BOARD" // Оптический журнал - 2013. - Т. 80. - № 12. - С. 45-52


58. Vinogradova K.A., Lipnitskaya S.N., Mynbaev K.D., Bougrov V.E., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Romanov A.E. Оптимизация вывода света из мощных светодиодных сборок "чип на плате", излучающих в ультрафиолетовом диапазоне длин волн [Optimization of light extraction from power led chip-on-board modules emitting in ultraviolet range of spectrum] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013, Vol. 17, No. 2, pp. 111-120


59. Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Zegrya G.G. Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd (x) Hg1-x Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 4, pp. 432-436


60. Мынбаева М.Г., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д. Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 1. - С. 138-142


61. Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет оже-процессов // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 444-448


62. Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Mynbaev K.D., Fitsych O.I., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells // Applied Nanoscience - 2020, Vol. 10, No. 8, pp. 2867-2871


63. Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Bonchyk O.Y., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Yakushev M.V., Jakiela R., Trzyna M. Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films // EPJ Web of Conferences - 2017, Vol. 133, pp. UNSP 01001


64. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Pociask-Bialy M., Dvoretsky S.A. Background donor concentration in HgCdTe // Opto-electronics Review - 2015, Vol. 23, No. 3, pp. 200-207


65. Мынбаева М.Г., Головатенко А.А., Печников А.И., Лаврентьев А.А., Мынбаев К.Д., Николаев В.И. Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 11. - С. 1573-1577


66. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Yakushev M.V., Marin D.V., Varavin V.S., Sidorov Y.G., Dvoretsky S.A. Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted p+-n photodiode structure formation // Technical Physics Letters - 2014, Vol. 40, No. 8, pp. 708-711


67. Vinogradova K.A., Nikulina L.A., Mynbaev K.D., Kovsh A.R., Odnoblyudov M.A., Nikolaev V.I., Bougrov V.E. Сравнение эффективности светодиодных излучателей на основе монохромных чипов и чипов с люминофором [Efficiency comparison of light emitting diodes based on monochromatic chips and chips with phosphor] // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2013. - Т. 18. - № 2. - С. 135-142


68. Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210


69. Yakushev M.V., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Marin D.V., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G. Acceptor states in HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy on GaAs and Si substrates // Physica Status Solidi (c) Current Topics in Solid State Physics - 2016, Vol. 13, No. 7-9, pp. 469–472


70. Свёнтек З., Озга П., Ижин Г.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок cdhgte // Известия высших учебных заведений. Физика - 2016. - Т. 59. - № 3. - С. 110-113


71. Semakova A.A., Bazhenov N.L., Mynbaev K.D. Carrier lifetime in InAs(Ga,Sb,P) heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1038, No. 1, pp. 012097


72. Bazhenov N.L., Mynbaev K.D., Semakova A.A., Zegrya G.G. Carrier Lifetime in Semiconductors with Band-Gap Widths Close to the Spin-Orbit Splitting Energies // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 4, pp. 428-433


73. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244