Александр Александрович Лебедев
- Ученое звание:профессор
- Ученая степень:доктор физико-математических наук
- Должность:
- Эл. почта:
Публикации
1. Strel’Chuk A.M., Yakimov E.B., Lavrent’Ev A.A., Kalinina E.V., Lebedev A.A. Characterization of 4H-SiC pn structures with unstable excess current // Materials Science Forum - 2015, Vol. 821-823, pp. 648-651
2. Novikov S., Lebedeva N., Satrapinski A., Walden J., Davydov V., Lebedev A.A. Graphene based sensor for environmental monitoring of NO2 // Sensors and Actuators, B: Chemical - 2016, Vol. 236, pp. 1054-1060
3. Usikov A.S., Puzyk M.V., Novikov S., Barash I.S., Medvedev O., Roenkov A.D., Goryachkin A., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y.N., Lebedev A.A. Electrochemical Treatment of Graphene // Key Engineering Materials - 2019, Vol. 799, pp. 197-202
4. Lebedev S.P., Amel’Chuk D.G., Eliseev I.A., Barash I.S., Dementev P.A., Zubov A.V., Lebedev A.A. Surface morphology control of the SiC (0001) substrate during the graphene growth // Fullerenes Nanotubes and Carbon Nanostructures - 2020, Vol. 28, No. 4, pp. 281-285
5. Давыдов С.Ю., Лебедев А.А. Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках // Физика твердого тела - 2015. - Т. 57. - № 1. - С. 200-205
6. Lebedev A.A., Kirillov A.V., Romanov L.P., Zubov A.V., Strelchuk A.M. 4H-SiC P-i-N diodes: development of technology and research of microwave switches based on it // International Journal of Science and Research - 2019, Vol. 8, No. 10, pp. 981-986
7. Borodin B.R., Benimetskiy F.A., Dunaevskiy M., Sharov V.A., Smirnov A.N., Davydov V.Y., Lahderanta E., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Alekseev P.A. MoSe2/graphene/6H-SiC heterojunctions: energy band diagram and photodegradation // Semiconductor Science and Technology - 2019, Vol. 34, No. 12, pp. 105794.R1
8. Kotousova I.S., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Bulat P.V. Electron-Diffraction Study of the Structure of Epitaxial Graphene Grown by the Method of Thermal Destruction of 6H- and 4H-SiC (0001) in Vacuum // Physics of the solid state - 2018, Vol. 60, No. 7, pp. 1419-1424
9. Novikov S.V., Makarov Y.N., Helava H., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Davydov V.Y. Highly sensitive NO2 graphene sensor made on SiC grown in Ta crucible // Materials Science Forum - 2016, Vol. 858, pp. 1149-1152
10. Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Ivanov P.A., Levinshtein M.E., Zubov A.V. Impact of High-Energy Electron Irradiation on Surge Currents in 4H-SiC JBS Schottky Diodes // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 10, pp. 1409-1413
11. Kozlovski V.V., Lebedev A.A., Emtsev V.V., Oganesyan G.A. Effect of the energy of recoil atoms on conductivity compensation in moderately doped n-Si and n-SiC under irradiation with MeV electrons and protons // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - 2016, Vol. 384, pp. 100-105
12. Lebedev A.A., Kozlovski V.V., Levinshtein M.E., Ivanov P.A., Strel’Chuk A.M., Zubov A.V., Fursin L. Effect of high energy (15 MeV) proton irradiation on vertical power 4H-SiC MOSFETs // Semiconductor Science and Technology - 2019, Vol. 34, No. 4, pp. 045004
13. Lebedev A.A., Ber B.Y., Seredova N.V., Kazantsev D.Y., Kozlovski V.V. Radiation-Stimulated Photoluminescence in Electron Irradiated 4H-SiC // Journal of Physics D: Applied Physics - 2015, Vol. 48, No. 48, pp. 485106
14. Lebedev A.A., Belov S.V., Mynbaeva M.G., Strel’Chuk A.M., Bogdanova E.V., Makarov Y.N., Usikov A.S., Kurin S.Y., Barash I.S., Roenkov A.D., Kozlovski V.V. 15 eV protons irradiation of the GaN Schottky Diodes // Materials Science Forum - 2016, Vol. 858, pp. 1186-1189
15. Usikov A.S., Borodkin K.V., Novikov S., Roenkov A.D., Goriachkin A.A., Puzyk M.V., Barash I.S., Lebedev S.P., Zubov A.V., Makarov Y., Lebedev A.A. Graphene/SiC dies for electrochemical blood-type sensing // Proceedings of the Estonian Academy of Sciences - 2019, Vol. 68, No. 2, pp. 207-213
16. Eliseyev I.A., Davydov V.Y., Smirnov A.N., Nestoklon M.O., Dementev P.A., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Zubov A.V., Mathew S., Pezoldt J., Bokai K., Usachov D.Y. Optical estimation of the carrier concentration and the value of strain in monolayer graphene grown on 4H-SiC // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 14, pp. 1904-1909
17. Lebedev S.P., Barash I.S., Eliseyev I.A., Dementev P.A., Lebedev A.A., Bulat P.V. Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films // Technical Physics - 2019, Vol. 64, No. 12, pp. 1843-1849
18. Лебедев А.А., Давыдов С.Ю., Сорокин Л.М., Шахов Л.В. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 23. - С. 89-94
19. Лебедев А.А., Белов С.В., Мынбаева М.Г., Стрельчук А.М., Богданова Е.В., Макаров Ю.Н., Усиков А.С., Курин С.Ю., Бараш И.С., Роенков А.Д., Козловский В.В. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе n-GaN // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1386-1388
20. Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н. Исследование возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 3(91). - С. 64-69
21. Davydov S.Y., Zubov A.V., Lebedev A.A. Coulomb Electron Interaction between an Adsorbate and Substrate: a Model of a Surface Dimer // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 9, pp. 924-926
22. Davydov S.Y., Zubov A.V., Lebedev A.A. A Model of a Surface Dimer in the Problem of Adsorption // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 5, pp. 461-463
23. Butko A.V., Butko V.Y., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Kumzerov Y.A. Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide // Physics of the solid state - 2017, Vol. 59, No. 10, pp. 2089-2091
24. Kotousova I.S., Lebedev S.P., Lebedev A.A., Bulat P.V. Electron diffraction study of epitaxial graphene structure grown upon SiC (0001) thermal destruction in Ar atmosphere and in high vacuum // Physics of the solid state - 2019, Vol. 61, No. 10, pp. 1940-1946
25. Булат П.В., Лебедев А.А., Макаров Ю.Н. Исследование возможности выращивания объемных кристаллов карбида кремния политипа 3С для силовых приборов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 3(91). - С. 64-69