Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Харри Калеви Липсанен

Публикации

1. Bouravleuv A.D., Cirlin G.E., Sapega V.F., Werner P.E., Savin A., Lipsanen H.K. Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 113, No. 14, pp. 144303


2. Перетягин В.С., Подосинников А.И., Романова Г.Э., Щеглов С.А., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Бугров В.Е. Моделирование и исследование краевого эффекта при работе с трехкристальными RGB-светодиодами // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2015. - Т. 15. - № 2(96). - С. 202-210


3. Жумашев Н.К., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Стоянов Н.Д., Кижаев С.С., Гурина Т.И., Астахова А.П., Черняев А.В., Молчанов С.С., Липсанен Х., Салихов Х.М., Бугров В.Е. Спектральные характеристики светодиодов среднего инфракрасного диапазона на основе InAs(Sb,P) // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2016. - Т. 16. - № 1(101). - С. 76-84


4. Seppanen H., Kim I., Etula J., Ubyivovk E.V., Bouravleuv A., Lipsanen H. Aluminum nitride transition layer for power electronics applications grown by plasma-enhanced atomic layer deposition // Materials - 2019, Vol. 12, No. 3, pp. 406


5. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Mikhailova M.P., Stoyanov N.D., Kizhaev S.S., Molchanov S.S., Astakhova A.P., Chernyaev A.V., Lipsanen H., Bougrov V.E. Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 239-244


6. Mynbaeva M.G., Shirshnev P.S., Kremleva A.V., Smirnov A.N., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V., Nikitina I.P., Lavrent'Ev A.A., Mynbaev K.D., Odnoblyudov M.A., Bauman D.A., Lipsanen H., Nikolaev V.I., Bougrov V.E., Romanov A.E. Optical properties of bulk gallium oxide grown from the melt // Reviews on Advanced Materials Science - 2018, Vol. 57, No. 1, pp. 97-103


7. Bouravleuv A.D., Cirlin G.E., Sapega V.F., Werner P.E., Savin A., Lipsanen H.K. Ferromagnetic (Ga,Mn)As nanowires grown by Mn-assisted molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 113, No. 14, pp. 144303


8. Rudinsky M.E., Karpov S.I., Lipsanen H., Romanov A.E. Critical thickness and bow of pseudomorphic InxGa1-xAs-based laser heterostructures grown on (001)GaAs and (001)InP substrates // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 278-283


9. Trukhin V.N., Buravlev A.D., Mustafin I.A., Cirlin G.E., Kuritsyn D.I., Rumyantsev V.V., Morosov S.V., Kakko J.P., Huhtio T., Lipsanen H.K. Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 12, pp. 1561-1565


10. Mynbaev K.D., Bazhenov N.L., Semakova A.A., Chernyaev A.V., Kizhaev S.S., Stoyanov N.D., Bougrov V.E., Lipsanen H.K., Salikhov K. Spontaneous and stimulated emission in InAsSb-based LED heterostructures // Infrared Physics and Technology - 2017, Vol. 85, pp. 246-250


11. Berdnikov Y.S., Sibirev N. V. ., Khayrudinov V., Alaferdov A., Moshkalev S., Ubyivovk E., Lipsanen H., Bouravleuv A. Growth of GaAs Nanowire–Graphite Nanoplatelet Hybrid Structures // CrystEngComm - 2019, Vol. 21, No. 41, pp. 6165-6172


12. Фудин М.С., Мынбаев К.Д., Липсанен Х., Айфантис К., Бугров В.Е., Романов А.Е. Частотные характеристики современных светодиодных люминофорных материалов // Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики - 2014. - № 6(94). - С. 71-76


13. Borodin B.R., Alekseev P.A., Dunaevskiy M.S., Khayrudinov V., Lipsanen H. Analysis of doping distribution in horizontal GaAs nanowires with axial p-n junction by the conductive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1410, No. 1, pp. 012228


14. Polukhin I.S., Mikhailovskiy G.A., Rybalko D.A., Solov'Ev Y.V., Petukhov E.P., Odnoblyudov M.A., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Mikhailov A.K., Lipsanen H.K. Influence of absorber characteristics on operation regimes of passive mode locked lasers based on InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 71-75


15. Трухин В.Н., Буравлев А.Д., Мустафин И.А., Цырлин Г.Э., Курицин Д.И., Румянцев В.В., Морозов С.В., Kakko J., Huhito T., Липсанен Х. X Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г. Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 12. - С. 1587-1591


16. Mynbaeva M.G., Kremleva A.V., Kirilenko D.A., Sitnikova A.A., Pechnikov A.I., Mynbaev K.D., Nikolaev V.I., Bugrov V.E., Lipsanen H., Romanov A.E. TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al2O3 substrates with buried column pattern // Journal of Crystal Growth - 2016, Vol. 445, pp. 30-36