Научная
деятельность
Университет ИТМО

Меню

Антон Юрьевич Егоров

Антон Юрьевич Егоров

Публикации

1. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Egorov A.Y. Experimental Study of Spontaneous Emission in Bragg Multiple- Quantum-Well Structures with InAs Single-Layer Quantum Wells // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 7, pp. 877-880


2. Gadzhiyev I.M., Buyalo M.S., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Usikova A.A., Il'Inskaya N.D., Lyutetskiy A.V., Zadiranov Y.M., Portnoi E.L. Switching between the mode-locking and Q-switching modes in two-section QW lasers upon a change in the absorber properties due to the Stark effect // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 6, pp. 828-831


3. Zaitsev D.A., Il'Ynskaya N.D., Koudinov A.V., Poletaev N.K., Nikitina E.V., Egorov A.Y., Kavokin A.V., Seisyan R.P. Diffusive Propagation of Exciton-Polaritons through Thin Crystal Slabs // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 11474


4. Мизеров А.М., Кладько П.Н., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111) // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 2. - С. 283-286


5. Баранов А.И., Гудовских А.С., Зеленцов К.С., Никитина Е.В., Егоров А.Ю. Исследование солнечных элементов на основе слоев GaPNAs методом спектроскопии полной проводимости // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 534-538


6. Goray L., Egorov A.Y. Breaking the efficiency limit for high-frequency blazed multilayer soft x-ray gratings: Conical vs classical diffraction // Applied Physics Letters - 2016, Vol. 109, No. 10, pp. 103502


7. Babichev A.V., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Nikitina E.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 mu m // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1299–1303


8. Бабичев А.В., Курочкин А.С., Колодезный Е.С., Филимонов А.В., Усикова А.А., Неведомский В.Н., Гладышев А.Г., Денисов Д.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Егоров А.Ю. Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 6. - С. 597-602


9. Babichev A.V., Gladyshev A.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Growth and optical characterization of 7.5 ?m quantum-cascade laser heterostructures grown by MBE // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 1124, No. 4, pp. 041029


10. Babichev A.V., Denisov D.V., Filimonov A.V., Nevedomsky V.N., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Sokolovskii G.S., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Molecular-beam epitaxy of 7-8 um range quantum-cascade laser heterostructures // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012081


11. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Analysis of the Internal Optical Losses of the Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser of the Spectral Range of 1.55 µm Formed by a Plate Sintering Technique // Optics and spectroscopy - 2019, Vol. 127, No. 1, pp. 140-144


12. Dudelev V.V., Losev S.N., Mylnikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. High Temperature Laser Generation of Quantum-Cascade Lasers in the Spectral Region of 8 um // Physics of the solid state - 2018, Vol. 60, No. 11, pp. 2291-2294


13. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Blokhin A.A., Kuz’Menkov A.G., Maleev N.A., Ustinov V.M., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-mu m Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 8, pp. 1104-1109


14. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Babichev A.V., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Usikova A.A., Egorov A.Y., Bougrov V.E. 1550 nm mode-locked semiconductor lasers for all-optical analog-to-digital conversion // AIP Conference Proceedings - 2017, Vol. 1874, pp. 040019


15. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Filimonov A.V., Nevedomskii V.M., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bugrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Heterostructures for quantum-cascade lasers of the wavelength range of 7–8 mum // Technical Physics Letters - 2017, Vol. 43, No. 7, pp. 666-669


16. Бабичев А.В., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 4. - С. 518-522


17. Бакланов А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю., Конников С.Г. Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы // Физика и техника полупроводников - 2014. - Т. 48. - № 9. - С. 1186-1191


18. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Денисов Д.В., Егоров А.Ю. Фотолюминесценция гетероструктур со слоями GaP1-xNx и GaP1-x-y Nx Asy, выращенных на подложках GaP и Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 489-493


19. Никитина Е.В., Гудовских А.С., Лазаренко А.А., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Зеленцов К.С., Морозов И.А., Егоров А.Ю. Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 663-667


20. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomskiy V.N., Bugrov V.E. Optical properties of metamorphic GaAs/InAlGaAs/InGaAs heterostructures with InAs/InGaAs quantum wells, emitting light in the 1250-1400-nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 612-615


21. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Ильинская Н.Д., Усикова А.А., Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Синхронизация мод в лазерах спектрального диапазона 1.55 mum на основе "тонких" квантовых ям // Письма в Журнал технической физики - 2018. - Т. 44. - № 4. - С. 95-102


22. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-Locked Lasers with “Thin” Quantum Wells in 1.55 mu m Spectral Range // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 2, pp. 174-177


23. Dudelev V.V., Losev S.N., Mylnikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. Dual-Frequency Generation in Quantum Cascade Lasers of the 8-mu m Spectral Range // Optics and spectroscopy - 2018, Vol. 125, No. 3, pp. 402-404


24. Pozina G., Girshova E.I., Morozov K.M., Ivanov K.A., Egorov A.Y., Kaliteevski M.A. Purcell Effect and Nonlinear Behavior of the Emission in a Periodic Structure Composed of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix // Annalen der Physik (Berlin) - 2019, Vol. 531, No. 6, pp. 1800388


25. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Chistyakov D.V., Kognovitskaya E.A., Lyutetskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. High-coupling distributed feedback lasers for the 1.55 mu m spectral region // Quantum Electronics - 2019, Vol. 49, No. 9, pp. 801-803


26. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Boulley L., Bousseksou A., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Lasing of a Quantum-Cascade Laser with a Thin Upper Cladding // Optics and spectroscopy - 2019, Vol. 127, No. 2, pp. 279-284


27. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Dudelev V.V., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Single-Mode Arched-Cavity Quantum-Cascade Lasers // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 4, pp. 398-400


28. Колодезный Е.С., Курочкин А.С., Рочас С.С., Бабичев А.В., Новиков И.И., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Савельев А.В., Егоров А.Ю., Денисов Д.В. Влияние легирования барьерных слоев на эффективность фотолюминесценции напряженных гетероструктур InGaAlAs/InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников - 2018. - Т. 52. - № 9. - С. 1034-1037


29. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Karachinsky L.Y., Blokhin S.A., Novikov I.I., Egorov A.Y., Maximov M.V., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Ustinov V.M. Evidence of negative electrorefraction in type-II GaAs/GaAlAs short-period superlattice // Semiconductor Science and Technology - 2015, Vol. 30, No. 11, pp. 115013


30. Babichev A.V., Zhang H., Guan N., Egorov A.Y., Julien F.H., Messanvi A., Durand C., Eymery J., Tchernycheva M. Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 8, pp. 1097-1101


31. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L.I., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y., Clark S.J. Super-radiant mode in InAs-monolayer-based Bragg structures // Scientific Reports - 2015, Vol. 5, pp. 14911


32. Egorov A.Y., Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Nikitina E.V., Tchernycheva M., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. Lasing of multiperiod quantum-cascade lasers in the spectral range of (5.6–5.8)-µm under current pumping // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1527-1530


33. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Molecular beam epitaxy grown strained heterostructures for active region of laser diode with emission wavelength 1520-1580 nm // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2015, Vol. 24, No. 3, pp. 284-288


34. Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Егоров А.Ю. Влияние конструкции переходного слоя In0.52Al0.48As на транспортные характеристики метаморфного транзистора с высокой подвижностью электронов // Письма в Журнал технической физики - 2016. - Т. 42. - № 6. - С. 14-19


35. Gladyshev A.G., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Kurochkin A.S., Egorov A.Y. Optical properties of InGaAs/InGaAlAs quantum wells for the 1520-1580 nm spectral range // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 9, pp. 1186-1190


36. Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. Temperature performance of InGaAs/InGaAlAsTemperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1410, No. 1, pp. 012104


37. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Dudelev V.V., Nevedomsky V.N., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N.A., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of mid-IR spectral range: Epitaxy, diagnostics and device characteristics // EPJ Web of Conferences - 2018, Vol. 195, pp. 04001


38. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. 6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application // IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017, Vol. 53, No. 6, pp. 8038783


39. Maksimov M.V., Shernyakov Y.M., Zubov F.I., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinskii L.Y., Denisov D.V., Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Egorov A.Y., Zhukov A.E. Temperature Dependence of the Parameters of 1.55-um Semiconductor Lasers with Thin Quantum Wells Based on Phosphorus-Free Heterostructures // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 6, pp. 549–552


40. Буяло М.С., Гаджиев И.М., Усикова А.А., Задиранов Ю.М., Ильинская Н.Д., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Портной Е.Л. Влияние эффекта Штарка на увеличение мощности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами в режиме модуляции добротности // Письма в Журнал технической физики - 2015. - Т. 41. - № 20. - С. 30-36


41. Соболев М.С., Лазаренко А.А., Никитина Е.В., Пирогов Е.В., Гудовских А.С., Егоров А.Ю. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaP на подложке Si // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 4. - С. 569-572


42. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


43. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/InAlGaAs/InGaAs с квантовыми ямами InAs/InGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250-1400 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 5. - С. 624-627


44. Гаджиев И.М., Буяло М.С., Губенко А.Е., Егоров А.Ю., Усикова А.А., Ильинская Н.Д., Лютецкий А.В., Задиранов Ю.М., Портной Е.Л. Переключение между режимами синхронизации мод и модуляции добротности в двухсекционных лазерах с квантовыми ямами при изменении свойств поглотителя за счет эффекта Штарка // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 6. - С. 843-847


45. Pozina G., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Denisov D.V., Polyakov N.K., Pirogov E.V., Goray L., Gubaydullin A.R., Ivanov K.A., Kaliteevskaya N.A., Egorov A.Y. Nonlinear behavior of the emission in the periodic structure of InAs monolayers embedded in a GaAs matrix // Physica status solidi (b) - 2017, Vol. 254, No. 4, pp. 1600402


46. Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Gadzhiev I.M., Buyalo M.S., Zadiranov Y.M., Usikova A.A., Shernyakov Y.M., Savelyev A.V., Nyapshaev I.A., Egorov A.Y. On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 10, pp. 1412–1415


47. Kozyreva O.A., Solov'Ev V.V., Polukhin I.S., Mikhailov A.K., Mikhailovskiy G.A., Odnoblyudov M.A., Gareev E.Z., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. High-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector for microwave photonics // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 5, pp. 052029


48. Kurochkin A.S., Babichev A.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Bousseksou A., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers in the 7-8 um spectral range with full top metallization // Journal of Physics: Conference Series - 2018, Vol. 993, No. 1, pp. 012031


49. Baranov A.I., Gudovskikh A., Kudryashov D.A., Lazarenko A.A., Morozov I.A., Mozharov A.M., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Egorov A.Y., Darga A., Le Gall S., Kleider J.P. Defect properties of InGaAsN layers grown as sub-monolayer digital alloys by molecular beam epitaxy // Journal of Applied Physics - 2018, Vol. 123, No. 16, pp. 161418


50. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Agustin M., Ledentsov N.N., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y. Continuous wave and modulation performance of 1550 nm band wafer-fused VCSELs with MBE-grown InP-based active region and GaAs-based DBRs // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10122, pp. 1012208


51. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Babichev A.V., Losev S.N., Chistyakov D.V., Kognovitskaya E.A., Avrov D.D., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Generation of Frequency Combs by Quantum Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 10, pp. 1027-1030


52. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Wavelength–stabilized near–field laser // Optics express - 2019, Vol. 27, No. 22, pp. 32019-32036


53. Dudelev V.V., Babichev A.V., Mikhailov D.A., Gladyshev A.G., Losev S.N., Kognovitskaya E.A., Novikov I.I., Lyuretskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Quantum-cascade lasers with U-shaped resonator: single frequency generation at room temperature // Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and European Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-EQEC 2019 - 2019, pp. 8872297


54. Rochas S.S., Kolodeznyi E.S., Kozyreva O.A., Voropaev K.O., Sudas D.P., Novikov I.I., Egorov A.Y. A heterostructure for resonant-cavity GaAs p-i-n photodiode with 840-860 nm wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1236, No. 1, pp. 012071


55. Pozina G., Ivanov K.A., Morozov K.M., Girshova E.I., Egorov A.Y., Clark S.J., Kaliteevski M.A. Enhancement of light emission in Bragg monolayer-thick quantum well structures // Scientific Reports - 2019, Vol. 9, pp. 10162


56. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Березовская Т.Н., Неведомский В.Н. Метаморфные брэгговские отражатели спектрального диапазона 1440-1600 нм: эпитаксия, формирование и заращивание мезаструктур // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 10. - С. 1434-1438


57. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Gubenko A.E., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Power increase in Q-switched two-sectional quantum well lasers due to Stark effect // Technical Physics Letters - 2015, Vol. 41, No. 10, pp. 984-986


58. Egorov A.Y., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Nevedomsky V.M., Bugrov V.E. Design concepts of monolithic metamorphic vertical-cavity surface-emitting lasers for the 1300–1550 nm spectral range // Semiconductors - 2015, Vol. 49, No. 11, pp. 1522-1526


59. Zhang H., Babichev A.V., Jacopin G..., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Zhang J..., Pauporte T..., Tchernycheva M... Characterization and modeling of a ZnO nanowire ultraviolet photodetector with graphene transparent contact // Journal of Applied Physics - 2013, Vol. 114, No. 23, pp. 234505


60. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


61. Babichev A.V., Karachinskii L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Sirbu A., Mikhailov S., Iakovlev V., Blokhin S.A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. Vertical-Cavity Surface-Emitting 1.55-mu m Lasers Fabricated by Fusion // Technical Physics Letters - 2018, Vol. 44, No. 1, pp. 24-27


62. Babichev A.V., Pashnev D.A., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Boulley L., Firsov D.A., Vorobjev L.E., Pikhtin N., Bousseksou A., Egorov A.Y. Spectral shift of quantum-cascade laser emission under the action of control voltage // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 11, pp. 1136-1139


63. Dudelev V.V., Losev S.N., Myl’Nikov V.Y., Babichev A.V., Kognovitskaya E.A., Slipchenko S.O., Lyutetskii A.V., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y., Kuchinskii V.I., Sokolovskii G.S. Turn-on Dynamics of Quantum Cascade Lasers with a Wavelength of 8100 nm at Room Temperature // Technical Physics - 2018, Vol. 63, No. 11, pp. 1656-1658


64. Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Savelyev A.V., Egorov A.Y., Denisov D.V. On the Impact of Barrier-Layer Doping on the Photoluminescence Efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP Strained-Layer Heterostructures // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 9, pp. 1156-1159


65. Егоров А.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Неведомский В.Н., Бугров В.Е. Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300-1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1569-1573


66. Новиков И.И., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Бугров В.Е., Курочкин А.С., Гладышев А.Г., Бабичев А.В., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Усикова А.А., Шерняков Ю.М., Савельев А.В., Няпшаев И.А., Егоров А.Ю. Усилительные свойства «тонких» упругонапряженных квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, излучающих в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне вблизи 1550 нм // Физика и техника полупроводников - 2016. - Т. 50. - № 10. - С. 1429-1433


67. Baranov A.I., Kleider J.P., Gudovskikh A.S., Darga A., Nikitina E.V., Egorov A.Y. Deep-level study of Ga(In)P(NAs) alloys grown on Si substrates // Journal of Physics: Conference Series - 2016, Vol. 741, No. 1, pp. 012077


68. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Andreev A.D., Kognovitskaya E.A., Lyutetskiy A.V., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.G., Voropaev K.O., Ionov A.S., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. Tunable single-frequency source based on a DFB laser array for the spectral region of 1.55 mu m // Quantum Electronics - 2019, Vol. 49, No. 12, pp. 1158-1162


69. Novikov I.I., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Nevedomsky V.N., Blokhin S.A., Blokhin A.A., Nadtochiy A.M., Egorov A.Y. The structural properties of elastically strained InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2016, Vol. 29, No. 1, pp. 76-81


70. Babichev A.V., Gusev G.A., Sofronov A.N., Firsov D.A., Vorob’Ev L.E., Usikova A.A., Zadiranov Y.M., Il’Inskaya N.D., Nevedomskii V.N., Dudelev V.V., Sokolovskii G.S., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Lasing in 9.6-mu m Quantum Cascade Lasers // Technical Physics - 2018, Vol. 63, No. 10, pp. 1511-1515


71. Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Novikov I.I., Kurochkin A.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y. Effect of barrier doping on photoluminescence of 1550 nm range multi quantum well heterostructures // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 170


72. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Sokolovskii G.S., Bougrov V.E., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Bousseksou A., Egorov A.Y. Room Temperature Lasing of Multi-Stage Quantum-Cascade Lasers at 8 mu m Wavelength // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 8, pp. 1082-1085


73. Babichev A.V., Zhang H., Lavenus P., Julien F.H., Egorov A.Y., Lin Y.T., Tu L.W., Tchernycheva M. GaN nanowire ultraviolet photodetector with a graphene transparent contact // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 103, No. 20, pp. 201103


74. Rasulova G.K., Pentin I.V., Brunkov P.N., Egorov A.Y. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices // Journal of Applied Physics - 2016, Vol. 119, No. 20, pp. 204303


75. Babichev A.V., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.C., Filimonov A.V., Usikova A.A., Nevedomsky V.N., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Heterostructures of single-wavelength and dual-wavelength quantum-cascade lasers // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 6, pp. 745-749


76. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kalosha V.P., Ledentsov N.J., Agustin M., Kropp J.R., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Payusov A.S., Gordeev N.Y., Kulagina M.M., Zhukov A.E., Egorov A.Y. Virtual cavity in distributed Bragg reflectors // Optics express - 2018, Vol. 26, No. 19, pp. 25280-25292


77. Babichev A.V., Sokolovskii G.S., Ustinov V.M., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Egorov A.Y. Quantum-cascade lasers of 8-9 mu m spectral range // Proceedings - International Conference Laser Optics 2018, ICLO 2018 - 2018, pp. 173


78. Егоров А.Ю., Бабичев А.В., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Никитина Е.В., Tchernycheva M., Софронов А.Н., Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6 -5.8 мкм при токовой накачке // Физика и техника полупроводников - 2015. - Т. 49. - № 11. - С. 1574-1577


79. Dagnelund D., Stehr J., Egorov A.Y., Chen W.M., Buyanova I.A. Optically detected magnetic resonance studies of point defects in quaternary GaNAsP epilayers grown by vapor phase epitaxy // Applied Physics Letters - 2013, Vol. 102, No. 2, pp. 021910


80. Babichev A.V., Gasumyants V.E., Egorov A.Y., Vitusevich S., Tchernycheva M. Contact properties to CVD-graphene on GaAs substrates for optoelectronic applications // Nanotechnology - 2014, Vol. 25, No. 33, pp. 335707


81. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Egorov A.Y. The influence of an In0.52Al0.48As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor // Technical Physics Letters - 2016, Vol. 42, No. 3, pp. 284-286


82. Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Lazarenko A.A., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Morozov I.A., Egorov A.Y. GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells // Semiconductors - 2016, Vol. 50, No. 5, pp. 652-655


83. Buyalo M.S., Gadzhiyev I.M., Il'Inskaya N.D., Usikova A.A., Nevedomskiy V.N., Egorov A.Y., Portnoi E.L. Mode-locking and Q-switching in 1.06 mu m two-sectional QW lasers due to stark effect // International Conference Laser Optics, LO 2016 - 2016, pp. R37


84. Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Nevedomskii V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sofronov A.N., Egorov A.Y. Spontaneous Emission and Lasing of a Two-Wavelength Quantum-Cascade Laser // Semiconductors - 2019, Vol. 53, No. 3, pp. 345-349


85. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Babichev A.V., Blokhin S.A., Bobrov M.A., Zadiranov Y.M., Troshkov S.I., Egorov A.Y. Lasing of metamorphic hybrid 1300nm spectral band VCSEL under optical pumping up to 120 °C // Proceedings of SPIE - 2017, Vol. 10098, pp. 1009811


86. Kryzhanovskaya N.V., Polubavkina Y.S., Nevedomskiy V.N., Nikitina E.V., Lazarenko A.A., Egorov A.Y., Maximov M.V., Moiseev E.I., Zhukov A.E. Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates // Semiconductors - 2017, Vol. 51, No. 2, pp. 267-271


87. Dudelev V.V., Mikhailov D.A., Babichev A.V., Andreev A.D., Kognovitskaya E.A., Bobretsova Y.K., Slipchenko S.O., Pikhtin N.A., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Novikov I.I., Karachinskii L.Y., Kuchinskii V.I., Egorov A.Y., Sokolovskii G.S. High-power Lambda = 8 Mu m quantum-cascade lasers at room temperature // Journal of Physics: Conference Series - 2019, Vol. 1400, No. 6, pp. 066048


88. Novikov I.I., Babichev A.V., Bugrov V.E., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Y., Kolodeznyi E.S., Kurochkin A.S., Savelyev A.V., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. The concept for realization of quantum-cascade lasers emitting at 7.5 Mum wavelength // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 929, No. 1, pp. 012082


89. Pozina G.R., Kaliteevski M.A., Nikitina E.V., Gubaydullin A.R., Morozov K.M., Girshova E.I., Ivanov K.A., Egorov A.Y. Experimental Study of Spontaneous Emission in the Bragg Multiple Quantum Wells Structure of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix // Semiconductors - 2018, Vol. 52, No. 14, pp. 1822-1826


90. Karachinsky L.Y., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Denisov D.V., Filimonov A.V., Novikov I.I., Egorov A.Y. Semiconductor light sources for near- and mid-infrared spectral ranges // Journal of Physics: Conference Series - 2017, Vol. 917, No. 2, pp. 022003


91. Babichev A.V., Dudelev V.V., Gladyshev A.G., Mikhailov D.A., Kurochkin A.S., Kolodeznyi E.S., Bougrov V.E., Nevedomskiy V.N., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Denisov D.V., Ionov A.S., Slipchenko S.O., Lutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Sokolovskii G.S., Egorov A.Y. High-Power Quantum-Cascade Lasers Emitting in the 8-mu m Wavelength Range // Technical Physics Letters - 2019, Vol. 45, No. 7, pp. 735-738


92. Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Rochas S.S., Sharipo K.D., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. Study of antireflection coatings for high-speed 1.3 -1.55 um InGaAs/InP PIN photodetector // Физика и механика материалов = Materials Physics and Mechanics - 2017, Vol. 32, No. 2, pp. 194-197