|
Современные фотоприемники широко применяются для эффективного преобразования оптического излучения, несущего информацию в сверхвысокочастотный электрический сигнал с минимальным количеством ошибок.
К основным требованиям, предъявляемым к фотоприемникам, относятся высокая фоточувствительность в требуемом диапазоне электромагнитных волн, низкий уровень шумов и быстрый отклик.
Широко распространенные фотоприемники p-i-n типа соответствуют предъявляемым требованиям, но для дальнейшего увеличения скорости работы необходимо уточнять активную область для уменьшения емкости, что соответственно уменьшает фоточувствительность. Вследствие этого сложно изготовить однопроходный фотоприемник типа p-i-n, обладающий одновременно высокой фоточувствительностью и быстродействием. Для увеличения чувствительности фотоприемника при
|
|
сохранении быстродействия активную область можно поместить в резонатор, образованный двумя зеркалами и обеспечивающий многократное прохождение светового излучения через поглощающий слой. Такая конструкция и будет называться резонансным фотоприемником (РФП).
Конструкция кристалла РФП p-i-n разрабатывалась с учетом дизайна эпитаксиальной гетероструктуры. Пара слоев Al0.9 Ga0.1 As/Al0.12 Ga0.88 As, используемые для разработки брэгговского отражателя, продемонстрировали коэффициент отражения близкий к 100% в диапазоне длин волн 840-860 нм. Выбор толщины и материалов слоев во многом определялся распределением световой волны в гетероструктуре РФП p-i-n. Выбранные толщины обеспечивают максимум световой волны в поглощающем i-слое и минимум в верхнем контактном p-слое. В качестве материала поглощающего слоя используется GaAs, обеспечивающий поглощение электромагнитного излучения в диапазоне 850 нм.
|
